吴振华，教授，博士生导师。2006年本科毕业于南京大学物理学系，2011年中国科学院半导体研究所博士毕业。2011年-2016年在三星电子韩国半导体研发中心任高级工程师，2016年-2023年在中国科学院微电子研究所任研究员，2024年入职浙江大学物理学院量子物态与器件研究中心。

     主要研究方向是计算纳米电子学及应用。包括纳米尺度晶体管中载流子输运特性研究，自旋/能谷电子学量子器件设计，MachineLearning+TCAD仿真计算方法与集成应用等。已在国际主流学术期刊(IEEE EDL/TED, PRL/PRB/PRApplied, APL/JAP等)发表第一作者或通讯作者论文60余篇，ESI高引论文2篇。发表会议论文30余篇，其中半导体器件领域知名会议IEDM论文6篇，VLSI会议论文2篇，申请中国发明专利22项，美国发明专利4项。论文被引数3000余次，H因子25。其中几项重要研究成果被著名研究机构和公司学者跟踪引用, 并且与国内企业合作开展产业应用，建立了良好产学研合作关系。

1. 课题组长期招收硕士研究生，博士研究生，博士后；

2. 欢迎本科生同学来课题组开展科研实践学习或毕业设计；

欢迎对半导体器件物理、特别是跨尺度TCAD仿真方法研究，计算程序开发感兴趣的同学进入研究组学习！